หน้าสัมผัสและคุณสมบัติทางไฟฟ้า · อัปเดต 28 กันยายน 2569

คอนเนกเตอร์ตัวกรอง EMI: ตัวกรอง C เทียบกับ π และการเลือกความจุไฟฟ้า

คอนเนกเตอร์ตัวกรองใส่ตัวกรองความถี่ต่ำผ่านขนาดเล็กในทุกหน้าสัมผัส ณ ตำแหน่งที่สายเคเบิลเข้าสู่ตัวเรือน สัญญาณรบกวนความถี่สูงจะเบี่ยงไปยังเปลือกก่อนถึงวงจรอิเล็กทรอนิกส์ และสัญญาณรบกวนจากภายในไม่สามารถออกไปตามสายเคเบิล

วงจรตัวกรอง

วงจร	โครงสร้าง	ลักษณะการทำงาน
C	ตัวเก็บประจุจากหน้าสัมผัสไปยังเปลือก	เรียบง่าย เหมาะกับแหล่งสัญญาณและโหลดอิมพีแดนซ์สูง
π	ตัวเก็บประจุ – ตัวเหนี่ยวนำเฟอร์ไรต์ – ตัวเก็บประจุ	การลดทอนชันกว่า; รักษารูปสัญญาณบนสายอิมพีแดนซ์สูง
L (CL / LC)	ตัวเก็บประจุร่วมกับเฟอร์ไรต์	ใช้เมื่อด้านแหล่งสัญญาณหรือโหลดด้านหนึ่งมีอิมพีแดนซ์ต่ำ

การเลือกความจุไฟฟ้า

ความจุไฟฟ้าที่สูงขึ้นลดความถี่ตัดและเพิ่มการลดทอนที่ความถี่หนึ่ง ๆ ตัวอย่างจากชุดตัวกรองแบบแผ่นของเรา (25 °C ไม่มีโหลด 50 Ω):

วงจร	ความจุไฟฟ้า	ความถี่ตัด 3 dB	การสูญเสียที่ 100 MHz
C	470 pF	12 MHz	10 dB
C	4,700 pF	2 MHz	30 dB
C	100 nF	0.1 MHz	40 dB
π	4,700 pF	0.8 MHz	41 dB
π	100 nF	0.1 MHz	55 dB

ความถี่ตัดต้องสูงกว่าความถี่สัญญาณของคุณมาก มิฉะนั้นตัวกรองจะทำให้สัญญาณที่ต้องการผิดรูป หน้าสัมผัสแต่ละตัวในคอนเนกเตอร์เดียวกันอาจมีค่าต่างกัน หรือไม่มีตัวกรอง

ข้อควรระวัง

ห้ามใช้คอนเนกเตอร์ตัวกรอง DC กับสายจ่ายไฟ AC
แจ้งเราถึงแรงดันกระชาก สัญญาณกระชาก และโหลดเหนี่ยวนำ เช่น รีเลย์และมอเตอร์
ห้ามทดสอบหน้าสัมผัสตัวกรองด้วยเมกเกอร์หรือการทดสอบทนแรงดันไฟฟ้าสูง AC เกินพิกัด เพราะตัวเก็บประจุอาจเสียหาย
ใช้ปะเก็นแผงที่นำไฟฟ้าได้ เพื่อให้ตัวกรองมีเส้นทางอิมพีแดนซ์ต่ำไปยังตัวเรือน